|
Найти распределение комплексной амплитуды Е(х) вектора переменного электрического поля, представляемого в виде Re(E(х) е^iwt), внутри проводящего плоского слоя толщины 2а с проводимостью s >> w и магнитной проницаемостью ц. На границах слоя (х = ± а) задана амплитуда тангенциальной компоненты поля: Еу(-а) = Еу(а) = Е0. Изобразить графически «моментальные снимки» поля при различных t для двух случаев: а) а >> d и б) а << d (d = c/ |/2пsцw — толщина скин-слоя в проводнике). В задаче найти также при a >> d: а) распределение магнитного поля в слое Hz(x) e^iwt; б) сдвиг фаз ф между полями Еу и Hz при х = ± а; в) поверхностный импеданс Es = Ey/Hz на границах слоя; выразить Es через ц и комплексную диэлектрическую проницаемость е = 4пs/iw; г) силу тока i0, протекающего через единицу длины поперечного сечения слоя у = const; д) средний за период вектор Пойнтинга в слое S(x); е) среднюю за период мощность потерь на единицу площади слоя Q.
| |