|
В известном эксперименте Хайнса — Шокли (схема показана на рис ) дрейфовая подвижность неосновных носителей заряда в примесных образцах полупроводника определяется по результатам измерения времени, необходимого для того, чтобы избыток носителей (инжектируемых через точечный контакт эмиттера) продрейфовал к точечному контакту коллектора, расположенного на известном расстоянии, под действием постоянного поля Е0 внутри кристалла. Можно сделать простой анализ результатов и убедиться, что дрейфовая скорость носителей равна ц*E0, а время t0, необходимое для того, чтобы носители преодолели расстояние d между зондами эмиттера и коллектора, будет поэтому равно d/ц*E, откуда ц*= d/E0t0. В предположении одномерной диффузии, когда инжекцию избыточных носителей в кристалле в точке х = 0 при t = 0 можно описывать d-функцией, показать, что при рассмотрении эффектов диффузии и рекомбинации максимальный коллекторный сигнал (который пропорционален величине dр при x = d) имеет место при t = t0. Величина t0 находится из соотношения t0 = |/1 + 4ad2/D*- 1/4a, где a = ####. Подвижность ц*связана с t0 соотношением ц*= d/E0t0(|/1 + x2 - x); здесь x = 2kT/eE0d(t0/t + 1/2) n + р/n - р.
| |