|
Контактный транзистор по существу состоит из двух р — n-переходов, разделенных относительно узкой областью базы для n — р — n-конфигурации (рис. ). Неосновные носители заряда, введенные через имеющий положительное смещение эмиттерный переход, диффундируют через область базы и, за исключением потерь на рекомбинацию, собираются на обратно смещенном коллекторном переходе. Обсудить основные факторы, влияющие на характеристики транзистора при постоянном токе.
| |