|
Образец примесного полупроводникового кристалла р-типа вырезан в виде прямоугольного параллелепипеда и помещен в однородное постоянное магнитное поле B0, как показано на рис. Показать, что проводимость образца уменьшается с увеличением магнитного поля. В частности, если w0тр << 1 (w0 = еВ0/m*рС) и средняя длина свободного пробега не зависит от скорости, то s(B0) = s0(1 - e2B0^2/m*pc2 L2/kT 4 - п/8) (здесь s0 — проводимость в отсутствие магнитного поля, а L — средняя длина свободного пробега). Предполагается, что эффективная масса изотропна и, следовательно, изоэнергетические поверхности в импульсном пространстве имеют сферическую форму.
| |