|
Определить вероятность индуцированных переходов Wab (в единицу времени) между зеемановскими состояниями |а > и |b >. Переходы индуцируются слабым внешним переменным полем В1, циркулярно поляризованным в плоскости,перпендикулярной сильному постоянному магнитному полю. Рассмотреть конкретный случай кристалла рубина (кристаллическая решетка — корунд Аl2O3, активная примесь — ионы Сr3+). На рис. изображены энергетические уровни Cr3+ в Al2O3 в твердотельном лазере. Действие этого прибора основано на «инверсии» населенностей уровней 2 и 3, достигаемой в результате внешней «накачки», переводящей электроны с уровня 1 на уровень 3; при этом населенности n1 и n3 уравниваются и возникает инверсия: n3 > n2. Определить: а) мощность микроволновой накачки резонатора, требуемую для создания разности населенностей n3 - n1, составляющей не менее 10 % от равновесного значения; б) мощность, активно поглощаемую ионами Сr3+ при накачке.
| |